姜婷婷

工学博士 材料物理与化学 副教授

 

教育与工作经历

2014年至今 武汉科技大学材料与冶金学院,教师

2009-2014 浙江大学 材料物理与化学 博士

2005-2009 浙江大学 材料科学与工程 学士


                                                                       

联系方式

邮箱: ttjiang@wust.edu.cn

地址: 武汉市青山区和平大道947号 武汉科技大学 钢铁楼 903室,邮编:430081


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研究兴趣

 姜婷婷,博士,硕士研究生导师。研究方向为新能源材料,包括锂离子电池材料及太阳电池材料。主持国家自然科学基金(青年项目)一项,多次参与包括国家自然科学基金、973项目、湖北省创新团体项目、浙江省科技创新团队在内的科研项目,参与企业合作项目多项。以第一作者发表SCI论文6篇,成果被国际/国内会议录用9篇,其中一篇被第27届半导体缺陷国际会议遴选为大会邀请报告。获2017年湖北省自然科学奖二等奖1项。


研究方向

锂离子电池材料,太阳能电池材料


                                           

参与项目

l    掺杂纳米硅颗粒-碳复合材料的设计及储锂机制研究(51602234),2017/01-2019/12,国家自然科学基金青年基金,20万元,主持。

l    杂多酸@金属有机框架复合材料的可控构筑及其可见光分解水制氢的动力学行为(61604110),2017/01-2019/12,国家自然科学基金青年基金,19万元,参与。

l    硼、氮掺杂纳米碳复合多孔磷酸铁锂材料的储锂特性与嵌锂机制研究(51372178),2014/01-2017/12,国家自然科学基金面上项目,80万元,参与。


代表性论文

·          Tingting JiangXiaohui TianHuazhi GuHongxi ZhuYingke Zhou, Zn2SnO4@C core–shell nanorods with enhanced anodic performance for lithium-ion batteriesJournal of Alloys and Compounds2015639239-243

·          Tingting Jiang, Xuegong Yu, Lei Wang, Xin Gu, Deren Yang, On the low carrier lifetime edge zone in multicrystalline silicon ingots, Journal of Applied Physics, 2014, 115(1): 012007-1-3

·          Tingting JiangXuegong YuRuixin FanXin GuDeren Yang, Phosphorus diffusion gettering of substitutional metal contaminants at a small-angle grain boundary in n-type silicon: The case of gold, Journal of Crystal Growth, 2013, 380: 51-54

·           Tingting JiangXuegong YuLei WangXin Gu, Deren Yang, Comprehensive Study on Low Carrier Lifetime Edge Zone in Multicrystalline Silicon Ingots, 27th International Conference on Defects in Semiconductors, Bologna, Italy, 2013.7.21-2013.7.26

·          Tingting Jiang, Xuegong Yu, Xin Gu, George Rozgonyi, Deren Yang, Modulation of electrical characteristics at a Ni-contaminated silicon grain boundary by engineering the metal precipitates, Physica Status Solidi A, 2013, 210(9): 1828-1831

·          Tingting Jiang, Xuegong Yu, Xin Gu, Deren Yang, George Rozgonyi, Hydrogenation of interface states at a clean grain boundary in the direct silicon bonded wafer, Physica Status Solidi A, 2012, 209(5): 990-993