武汉科技大学先进材料论坛（22）

报告题目：环硅烷的合成及其单分子导电性研究

报 告 人：肖胜雄教授

单  位：上海师范大学

报告时间：2019年9月26日15:30

报告地点：青山校区教六楼6306

报告摘要：由摩尔定律可知，半导体器件的尺寸会越来越小，当硅电子器件尺寸缩小到单分子尺度，即单个有机硅分子时，宏观下的电学规律将不再适用，因此研究纳米尺度下有机硅单分子的电导行为具有非常重要的科学意义。我们通过对环大小、环张力等进行精确调控，设计合成了一系列的环硅烷化合物，并采用单分子电导测量和密度泛函计算相结合的方法，对该系列环硅烷分子的单分子电导进行了研究。首次实现了σ键相消量子干涉效应，该效应在单分子尺度上能有效地阻止电子的量子隧穿，极大地降低了单分子的电导，从而能获得了尺寸小于1纳米的单分子超级绝缘体，有望为摩尔定律续命。

不同硅单分子导线中电子传输的波函数衰减示意图及其传输路径示意图

个人简介：个人简介：

肖胜雄，男，上海师范大学教授，博导，分子功能材料系系主任。2007年博士毕业于美国哥伦比亚大学，随后在The Scripps Research Institute从事博士后研究。先后获得上海市特聘教授（东方学者）、上海市优秀学术带头人、上海市曙光学者等荣誉和称号。主要从事新型有机半导体材料的设计与合成、以及不同尺寸的有机电子器件的制备和性能研究，在Nature, JCAS, Angew等学术期刊发表SCI论文40多篇，引用2200多次，参与撰写Elsevier专著1部，授权发明专利6项。主持国家自然基金委、上海市科委、上海市教委等科研项目多项，并担任资源化学国际合作联合实验室技术转移中心副主任。